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东芝推出低高度封装轨到轨输出栅极驱动光电耦合器万芳

发布时间:2020-02-14 11:57:12 阅读: 来源:过滤器厂家

东芝推出低高度封装轨到轨输出栅极驱动光电耦合器

东芝推出采用低高度SO6L封装的轨到轨输出栅极驱动光电耦合器,用于直接驱动中低等功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)及功率金属氧化物半导体场效应晶体管(power MOSFET)。量产出货即日启动。

新款光电耦合器包括用于驱动小功率IGBT的“TLP5751”和用于驱动中等功率IGBT的“TLP5752”及“TLP5754”,它们均采用低高度SO6L封装。与采用DIP8封装的东芝产品相比,新产品的高度仅为前者的54%,安装面积仅为前者的43%,有助于开发更纤薄小巧的装置。尽管高度较低,但新产品依然保证了8mm的爬电距离和5kV的绝缘电压,适用于对绝缘规格要求较高的应用。

电气特性方面,新款光电耦合器拥有轨到轨输出,在满摆幅输出状态下可通过扩大操作电压范围来实现更高的效率。新产品提供1A、2.5A和4A三种输出电流,以满足广泛的用户需求。新产品还内置东芝独创的高功率红外LED,适用于多种应用,包括需要高度热稳定性的应用,例如工厂自动化、家用光电电力系统、数字化家用电器和不间断电源(UPS)。

新产品主要规格 产品型号TLP5751TLP5752TLP5754峰值输出电流±1.0A±2.5A±4.0A供电电压15~30V电源电流3mA(最大值)阈值输入电流4mA(最大值)传播延迟时间150ns(最大值)传播延迟偏差80ns(最大值)轨到轨输出预装VUVLO功能预装爬电距离8mm(最小值)绝缘电压5000Vrms(最小值)共模瞬态抗扰度±35kV/ sec工作温度范围-40~110 C适用功率设备低功率中等功率中等功率IGBT(最高IGBT(最高IGBT(最高20A级)和80A级)和100A级)和功率MOSFET功率MOSFET功率 MOSFET

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